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基于CMOS工艺的高Q值微谐振腔及应用

2016年5月12日 am12:00 • 学术报告 • 阅读 24

基于CMOS工艺的高Q值微谐振腔及应用

报告人
张文富 研究员

单位
西安光学精密机械研究所

时间
2016-05-12 (周四) 10:00

地点
合肥微尺度9004

基于CMOS工艺的高Q值微谐振腔及应用
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Bound-state QED calculations and the hydrogen molecular ion spectroscopy
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