晶圆级钛酸钡（BTO）薄膜的硅基外延生长及应用探索

讲演人简介：聂越峰，南京年夜学古代工程与使用迷信学院传授、教诲部“长江学者”特聘传授、海外高档次青年人材。2011年获美国康涅狄格年夜学物理学博士学位，随后正在康奈尔年夜学从事博士后研究，于2014年末参加南京年夜学。恒久致力于进步前辈氧化物份子束外延（Oxide MBE）技能的研发，及其正在庞大氧化物薄膜与界面新鲜物态调控方面的研究。正在功用氧化物原子级精准生长、物态调控机理及器件使用等范畴取患了系列立异结果。今朝已正在 Nature、Nature Materials、Nature Nanotechnology 及 Physical Review Letters 等期刊颁发论文 100 余篇。

讲演择要: 钙钛矿氧化物依附其卓着的铁电、压电及电光等效应，已成为开发下一代高机能信息器件的焦点候选资料。此中，钛酸钡（BaTiO3，BTO）因具有超高的电光系数（达铌酸锂的 30 倍以上），正在构建高速、低功耗、高集成度电光调制器方面揭示出伟大后劲，为完成高速光互连及光量子计较等前沿使用供给要害的器件支撑。然而，怎样冲破晶圆级高品质 BTO 薄膜的外延制备及其与 CMOS 半导体平台的异质集成工艺，仍是以后该范畴的重年夜应战。

本讲演将重点先容哄骗氧化物份子束外延（Oxide MBE）技能，经由过程原子级精度的界面工程有用按捺硅名义非晶层的造成，并降服晶格掉配难题，从而正在硅基衬底上准确构建高品质的晶圆级 BTO 外延薄膜。讲演将深切切磋间接外延生长与自支撑单晶薄膜转移集成两种技能路径，并展示 BTO 薄膜正在高密度非易掉性存储、空间光调制及高机能电光调制器等范畴的使用摸索。