: 半绝缘碳化硅的研究进展及其应用

讲演人简介：徐现刚，山东年夜学讲席传授、长江学者、973首席迷信家、晶体资料天下重点试验室主任、新一代半导体资料集成攻关年夜平台主任。连续25年举行宽禁带半导体碳化硅单晶的研究及工业化事情,面临进步前辈雷达、新动力等国度战略需要，创立了碳化硅单晶的成核节制、能级调控以及位错复合的实践系统。前后冲破2-12英寸碳化硅单晶生长难点，发现高纯半绝缘碳化硅晶体系体例备技能，使用于雷达焦点器件，已周全列装到我军新一代战斗机、预警机、航空母舰、春风导弹等海、陆、空主力配备，解决了半绝缘碳化硅“洽商”难题，为我军兵器配备机能晋升做出重年夜孝敬。专利结果前后转化山东天岳、南砂晶圆等行业领军企业，周全完成国产化。 此外，徐现刚传授自1989年至今不断从事高功率半导体激光资料与器件研究事情，霸占了高功率半导体激光器灾变毁伤及热饱以及的难题，统率山东华光完成高功率半导体激光资料以及芯片的国产化，为激光兵器等国度重年夜工程设置装备摆设做出重要孝敬。

讲演择要: 碳化硅是典型的宽禁带半导体，禁带宽度年夜于3eV，具备热导率高、击穿场壮大等奇特的物理特征，是制备年夜功率器件的抱负资料，普遍用于微波射频、电力电子等范畴；同时SiC具备最高的折射率，也是抱负的光学资料。
讲演论述了碳化硅单晶的成长汗青及其进展、生长要领及其重要使用，展现了碳化硅的能级布局，提出了节制碳化硅导电性的要领，得到高纯半绝缘碳化硅，胜利使用于雷达体系微波器件的制备。针对年夜直径碳化硅单晶的生长难点，冲破晶体生长用的籽晶的扩径技能瓶颈，得到12英寸的碳化硅，同时年夜幅度升高单晶的缺陷，获得零螺位错密度的衬底。