新型III-V纳米线的光电探测响应与器件应用
新型III-V纳米线的光电探测响应与器件应用
报告人
陈效双 研究员
单位
中国科学院上海技术物理研究所
时间
2019-09-06 (周五) 10:00
地点
上海研究院4号楼329报告厅(理化大楼一楼科技展厅同步视频)
摘要
III-V族半导体纳米线在光电子领域巨大应用潜力,使得实现高质量、特定结构、电子态可控的纳米线成为国际的热点。报告将从实验和理论相结合介绍III-V族纳米材料制备、生长机理和特异光电性质及其应用的最新进展。通过量子线生长机理的认识,实现对其生长途径的控制,揭示了外延生长的InGaAs纳米线的一种新颖的相分离现象,制备单纳米线的红外探测器件结构,发现了光电探测器件的反常光电导性质,讨论单纳米线的光电流响应与微结构的关系,获得高性能的探测响应,实现了不依赖雪崩放大的单光子探测的器件,进一步介绍纳米线复合结构的光电响应,探讨其在红外光电子器件中的应用。